[发明专利]受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善

权利要求书

1.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：

在金属线之间形成牺牲材料，所述金属线具有位于其上的硬掩模；

在所述牺牲材料上形成掩模，其中，所述掩模与所述金属线上的所述硬掩模横向上相邻并共面，所述掩模包括与所述金属线上的所述硬掩模不同的材料；以及

在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模是具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述牺牲材料包括通过所述掩模去除所述牺牲材料。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，将所述牺牲材料平坦化到所述金属线。

5.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：

在设置于电介质材料中的金属线上形成硬掩模并且去除所述电介质材料的一部分，其中，在所述金属线上形成所述硬掩模包括：在第一金属线上形成第一硬掩模材料以及在第二金属线上形成第二硬掩模材料，其中，所述第二硬掩模材料不同于所述第一硬掩模材料；

在所述金属线之间形成牺牲材料；

在所述牺牲材料上形成掩模；以及

在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一金属线和所述第二金属线是初始金属化层级，并且在去除所述牺牲材料之后，所述方法包括形成随后的金属化层级。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述随后的金属化层级包括：在所述第一硬掩模材料和所述第二硬掩模材料之一中但不在另一个中形成开口、以及将所述随后的金属化层级耦合到所述初始金属化层级。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在去除所述牺牲材料之后，所述方法包括在所述掩模上形成电介质层。

9.一种包括一个或多个金属化层的集成电路结构，所述集成电路结构是通过权利要求1-8的方法中的任一种制造的。

10.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：

在集成电路衬底上的电介质层中形成第一金属化层级，所述第一金属化层级包括多条金属线，所述多条金属线具有位于其上的硬掩模；

利用牺牲材料代替所述电介质层的一部分；

在所述牺牲材料上形成掩模，其中，所述掩模与所述多条金属线上的所述硬掩模横向上相邻并共面，所述掩模包括与所述多条金属线上的所述硬掩模不同的材料；

通过所述掩模去除所述牺牲材料；以及

将第二金属化层级耦合到所述第一金属化层级。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述掩模是具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述牺牲材料平坦化到所述第一金属化层级。

13.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：

在集成电路衬底上的电介质层中形成第一金属化层级，所述第一金属化层级包括多条金属线；

在所述多条金属线中的相邻金属线上形成硬掩模，其中，在所述多条金属线中的相邻金属线上形成所述硬掩模包括：在第一金属线上形成第一硬掩模材料以及在第二金属线上形成第二硬掩模材料，其中，所述第二硬掩模材料不同于所述第一硬掩模材料；

利用牺牲材料代替所述电介质层的一部分；

在所述牺牲材料上形成掩模；

通过所述掩模去除所述牺牲材料；以及

将第二金属化层级耦合到所述第一金属化层级。