[发明专利]具有空隙加速击穿的MOS反熔丝有效
| 申请号： | 201480080746.6 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106537600B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·奥拉-沃;W·哈菲兹;C-H·简;张旭佑;T·张;R·拉马斯瓦米;P-C·刘;N·迪亚斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MOS反熔丝，具有由形成在电极中的空隙或缝隙引起的加速电介质击穿。在一些实施例中，在其下MOS反熔丝经受电介质击穿的编程电压通过对MOS反熔丝电介质的至少部分的故意损坏来减小。在一些实施例中，在电极材料的回蚀期间可以引入损坏，该电极材料具有在将电极材料回填到具有阈值纵横比的开口中期间所形成的缝隙。在另外的实施例中，MOS反熔丝位单元包括MOS晶体管和MOS反熔丝。MOS晶体管具有保持预定的电压阈值摆幅的栅极电极，而MOS反熔丝包括具有空隙加速电介质击穿的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空隙 加速 击穿 mos 反熔丝 | ||
【主权项】：
一种金属‑氧化物‑半导体(MOS)反熔丝位单元，所述金属‑氧化物‑半导体(MOS)反熔丝位单元包括反熔丝，所述反熔丝还包括：第一半导体沟道区，所述第一半导体沟道区设置在衬底上方；第一半导体源极区和第一漏极区，所述第一半导体源极区和所述第一漏极区具有与所述第一沟道区互补的导电类型，并且设置在所述衬底上方并设置在所述第一沟道区的相对侧上；与所述第一源极区接合的第一源极接触部，以及与所述第一漏极区接合的第一漏极接触部；第一栅极电介质，所述第一栅极电介质设置在所述第一沟道区上方；以及第一栅极电极，所述第一栅极电极通过所述第一栅极电介质与所述第一沟道区分隔开，并且通过居间电介质材料与所述第一漏极接触部和所述第一源极接触部分隔开，所述第一栅极电极具有缝隙，所述缝隙从所述第一栅极电极的顶部表面延伸通过z高度接近所述第一栅极电介质。
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