[发明专利]具有空隙加速击穿的MOS反熔丝有效
| 申请号： | 201480080746.6 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106537600B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·奥拉-沃;W·哈菲兹;C-H·简;张旭佑;T·张;R·拉马斯瓦米;P-C·刘;N·迪亚斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 空隙 加速 击穿 mos 反熔丝 | ||
【说明书】：
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