[发明专利]具有柔性衬底的半导体组件有效
| 申请号： | 201480075844.0 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106030806B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | N·慕克吉;B·S·多伊尔;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;R·皮拉里塞泰;H·W·田;V·R·拉奥;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/763 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中公开了半导体组件和相关集成电路器件和技术的实施例。在一些实施例中，半导体组件可以包括：柔性衬底；多晶半导体材料；以及设置在柔性衬底与多晶半导体材料之间并与柔性衬底和多晶半导体材料相邻的多晶电介质。多晶半导体材料可以包括多晶III‑V材料、多晶II‑VI材料或多晶锗。可以公开和/或主张其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 柔性 衬底 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，包括：/n柔性衬底；/n连续的多晶半导体材料的层，所述多晶半导体材料包括多晶III-V材料、多晶II-VI材料或多晶锗并且具有织纹状的晶粒结构；以及/n多晶电介质，其设置在所述柔性衬底与所述多晶半导体材料之间并与所述柔性衬底和所述多晶半导体材料相邻，其中，所述多晶电介质的晶粒边界是所述多晶半导体材料的晶粒的成核位置。/n
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