[发明专利]具有多个放大器路径的电源系统以及用于激发等离子体的方法

摘要

一种电源系统(2、20)，该电源系统(2、20)包括功率转换器(3、30)，该功率转换器(3、30)产生高频功率信号并且可以连接到负载(6)以便向等离子体处理或气体激光器处理供应功率，其中，功率转换器(3、30)具有包括一个第一放大器路径(42)和一个第二放大器路径(43)的至少一个放大器级(40)，在各个情况下第一放大器路径(42)和第二放大器路径(43)具有放大器(42a、43a)，其中，第一放大器路径(42)在其输出端处发射第一放大器路径输出信号并且第二放大器路径(43)在其输出端处发射第二放大器路径输出信号，该第二放大器路径输出信号具有相对于第一放大器路径输出信号的相位偏移，该相位偏移不等于且具体而言大于0°并且不等于且具体而言小于180°，其中，放大器路径(42、43)连接到相移耦合器单元(47)，其将来自放大器路径(42、43)的输出信号耦合至高频功率信号，电源系统(2、20)的特征在于：至少一个放大器(42a、43a)包括场效应晶体管(60、T1、T2)，其在晶体管部件(61)中被实现，其半导体结构被构造成大体上成层，具体而言被实现为包括沟道(71)的平面半导体部件，其中，沟道(71)中流动的电流压倒性地沿横向方向进行，即大体上平行于半导体结构的层。

主权项

1.一种电源系统(2、20)，所述电源系统(2、20)包括功率转换器(3、30)，所述功率转换器(3、30)产生频率位于1到200MHz之间的高频功率信号并且能够连接到负载(6)以为等离子体处理或气体激光器处理供应功率，所述功率转换器(3、30)具有包括第一放大器路径(42)和第二放大器路径(43)的至少一个放大器级(40)，所述第一放大器路径(42)具有放大器(42a)并且所述第二放大器路径(43)具有放大器(43a)，所述第一放大器路径(42)在所述第一放大器路径(42)的输出端处输出第一放大器路径输出信号，并且所述第二放大器路径(43)在所述第二放大器路径(43)的输出端处输出第二放大器路径输出信号，所述第二放大器路径输出信号相对于所述第一放大器路径输出信号具有相位偏移，所述相位偏移不同于0°并且所述相位偏移不同于180°，所述第一放大器路径和所述第二放大器路径(42、43)连接到相移耦合器单元(47)，所述相移耦合器单元(47)将所述第一放大器路径和所述第二放大器路径(42、43)的输出信号进行耦合以形成高频功率信号，所述电源系统(2、20)的特征在于：至少一个放大器(42、43a)具有场效应晶体管(60、T1、T2)，所述场效应晶体管(60、T1、T2)被实施为其半导体结构大部分为分层构造的半导体器件(61)，所述半导体器件(61)具有沟道(71)，电流在所述沟道(71)中主要沿横向方向流动，换言之所述电流大体上与所述半导体结构的层平行地流动，并且其特征在于：所述场效应晶体管(60、T1、T2)为LDMOS晶体管。