[发明专利]剥离方法及剥离装置有效
| 申请号： | 201480067374.3 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105793957B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;铃木邦彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的之一是提供一种新颖的剥离方法及新颖的剥离装置。一种剥离方法，包括：在衬底上形成分离层的第一工序；在分离层上形成被分离层的第二工序；将被分离层的一部分从分离层分离来形成剥离起点的第三工序；以及利用剥离起点将被分离层从衬底剥离的第四工序。在第四工序中，衬底温度高于或等于60℃且低于或等于90℃。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种剥离方法，包括如下步骤：在衬底上形成剥离层的第一步骤；在所述剥离层上形成被剥离层的第二步骤；将所述被剥离层的一部分从所述剥离层剥离来形成剥离起点的第三步骤；利用所述剥离起点将所述被剥离层从所述衬底剥离的第四步骤；以及对所述剥离起点供应液体的液体供应步骤，其中，所述液体的温度高于或等于60℃且低于或等于90℃，并且，在所述第四步骤中，加热所述衬底的第一部分以及冷却所述被剥离层的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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