[发明专利]剥离方法及剥离装置

权利要求书

1.一种剥离方法，包括如下步骤：

在衬底上形成剥离层的第一步骤；

在所述剥离层上形成被剥离层的第二步骤；

将所述被剥离层的一部分从所述剥离层剥离来形成剥离起点的第三步骤；

利用所述剥离起点将所述被剥离层从所述衬底剥离的第四步骤；以及

对所述剥离起点供应液体的液体供应步骤，

其中，所述液体的温度高于或等于60℃且低于或等于90℃，

并且，在所述第四步骤中，加热所述衬底的第一部分以及冷却所述被剥离层的第二部分。

2.根据权利要求1所述的剥离方法，其中所述液体供应步骤在第一期间和第二期间中的至少一个期间进行，

所述第一期间存在于所述第三步骤与所述第四步骤之间，

并且所述第二期间存在于所述第四步骤中。

3.根据权利要求1所述的剥离方法，

其中在所述第四步骤之后所述衬底的所述第一部分包括从所述被剥离层未剥离的部分，

并且在所述第四步骤之后所述被剥离层的所述第二部分包括从所述衬底剥离的部分。

4.根据权利要求1所述的剥离方法，其中所述液体包括水。

5.根据权利要求1所述的剥离方法，还包括如下步骤：

消除所述被剥离层的表面的静电的静电消除步骤，该表面因从所述衬底剥离而露出，

其中所述静电消除步骤在第三期间和第四期间中的至少一个期间进行，

所述第三期间存在于所述第四步骤中，

并且所述第四期间存在于第四步骤之后。

6.根据权利要求1所述的剥离方法，还包括如下步骤：

使所述被剥离层的表面干燥的干燥步骤，该表面因从所述衬底剥离而露出，

其中所述干燥步骤在所述第四步骤之后进行。

7.根据权利要求1所述的剥离方法，其中所述剥离层包含钨。

8.根据权利要求1所述的剥离方法，还包括如下步骤：

使所述剥离层氧化的氧化步骤，

其中所述氧化步骤在所述第一步骤与所述第二步骤之间进行。

9.根据权利要求8所述的剥离方法，其中所述氧化步骤包括在含一氧化二氮（N₂O）的气氛下进行的等离子体处理步骤。

10.一种剥离方法，包括如下步骤：

在衬底上形成剥离层的第一步骤；

在所述剥离层上形成被剥离层的第二步骤；

将所述被剥离层的一部分从所述剥离层剥离来形成剥离起点的第三步骤；以及

利用所述剥离起点将所述被剥离层从所述衬底剥离的第四步骤，

其中，在所述第四步骤中，加热所述衬底的第一部分以及冷却所述被剥离层的第二部分，

并且，在所述第四步骤中所述衬底的所述第一部分的温度保持为60℃以上且90℃以下。

11.根据权利要求10所述的剥离方法，其中在所述第四步骤之后所述衬底的所述第一部分包括从所述被剥离层未剥离的部分，

并且在所述第四步骤之后所述被剥离层的所述第二部分包括从所述衬底剥离的部分。

12.根据权利要求10所述的剥离方法，还包括如下步骤：

对所述被剥离层与所述剥离层之间供应液体的液体供应步骤，

其中所述液体供应步骤在第一期间和第二期间中的至少一个期间进行，

所述第一期间存在于所述第三步骤与所述第四步骤之间，

并且所述第二期间存在于所述第四步骤中。

13.根据权利要求12所述的剥离方法，其中所述液体的温度高于0℃且低于100℃。

14.根据权利要求12所述的剥离方法，其中所述液体包括水。