[发明专利]位恢复系统有效
| 申请号： | 201480064456.2 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN105765538B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | T·金;J·P·金;S·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 特定设备包括基于电阻的存储器器件、标记随机存取存储器(RAM)、以及位恢复(BR)存储器。基于电阻的存储器器件被配置成存储数据值以及与该数据值相关联的纠错码(ECC)数据。标记RAM被配置成存储将主存储器的存储器地址映射到高速缓存存储器的字线的信息，其中该高速缓存存储器包括基于电阻的存储器器件。BR存储器被配置成存储与该数据值相关联的附加纠错数据，其中BR存储器对应于易失性存储器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 系统 | ||
【主权项】：
1.一种与位恢复有关的装置，包括：基于电阻的存储器器件，其被配置成存储数据值以及与所述数据值相关联的纠错码ECC数据；标记随机存取存储器RAM，其被配置成存储将主存储器的存储器地址映射到高速缓存存储器的字线的信息，其中所述高速缓存存储器包括所述基于电阻的存储器器件；以及位恢复BR存储器，其被配置成从另一存储器接收与所述数据值相关联的附加纠错数据并存储所述附加纠错数据，其中所述BR存储器对应于易失性存储器器件且所述另一存储器为非易失性存储器器件。
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