[发明专利]位恢复系统

权利要求书

1.一种与位恢复有关的装置，包括：

基于电阻的存储器器件，其被配置成存储数据值以及与所述数据值相关联的纠错码ECC数据；

标记随机存取存储器RAM，其被配置成存储将主存储器的存储器地址映射到高速缓存存储器的字线的信息，其中所述高速缓存存储器包括所述基于电阻的存储器器件；以及

位恢复BR存储器，其被配置成从另一存储器接收与所述数据值相关联的附加纠错数据并存储所述附加纠错数据，其中所述BR存储器对应于易失性存储器器件且所述另一存储器为非易失性存储器器件。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括包含所述BR存储器和所述标记RAM的总标记存储器。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述标记RAM被配置成响应于接收到所述主存储器的存储器地址而提供对应于所述主存储器的所述存储器地址的所述高速缓存存储器的存储器地址或指示所述高速缓存存储器未存储对应于所述主存储器的所述存储器地址的数据。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基于电阻的存储器器件包括级3L3高速缓存。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述BR存储器被配置成响应于所述标记RAM接收到对与所述数据值相关联的映射的请求而提供所述附加纠错数据。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基于电阻的存储器器件包括多条字线，其中所述数据值和所述ECC数据被存储在所述多条字线中的第一字线处，并且其中所述BR存储器为包括在所述基于电阻的存储器器件中的所述多条字线中的每条字线存储附加纠错数据。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述数据值包括多个字，其中所述ECC数据启用对所述多个字中的每个字中的第一有错位的纠正，并且其中所述附加纠错数据启用对所述多个字中的每个字中的第二有错位的纠正。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括第二BR存储器，其中所述第二BR存储器是所述另一存储器，其中所述附加纠错数据被镜像在所述BR存储器与所述第二BR存储器之间，并且其中存储在所述第二BR存储器处的所述附加纠错数据被用于响应于包括所述BR存储器和所述第二BR存储器的电子设备通电而初始化所述BR存储器。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括控制器，其用于生成与所述数据值相关联的所述附加纠错数据并将所述附加纠错数据存储在所述BR存储器处和所述第二BR存储器处。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述BR存储器包括静态随机存取存储器SRAM器件且所述第二BR存储器包括磁阻随机存取存储器MRAM器件。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基于电阻的存储器器件包括磁阻随机存取存储器MRAM器件。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述MRAM设备包括磁性隧道结MTJ器件。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括控制器，其被配置成基于由所述基于电阻的存储器器件确定已发生将所述数据值写入所述基于电阻的存储器器件的错误使所述附加纠错数据被删除。

14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置被集成到至少一个管芯中。

15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括选自下组的电子设备：移动电话、平板设备、计算机、通信设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、个人数字助理PDA、以及位置固定的数据单元，这些电子设备中集成有所述基于电阻的存储器器件、所述标记RAM、以及所述BR存储器。