[发明专利]离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统有效

专利信息
申请号: 201480064208.8 申请日: 2014-10-15
公开(公告)号: CN105765693B 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 肯尼士·H·波什;克里斯多夫·坎贝尔;法兰克·辛克莱;罗伯特·C·林德柏格;约瑟·C·欧尔森 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 杨文娟,臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统。用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块,其用以在第一方向上调整离子束的束宽度,所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含扫描器,其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束;以及模式选择器,其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。本发明的优点是可在同一基底室中以任何所要顺序提供高电流带状束植入和点状束植入。
搜索关键词: 双模 离子 植入
【主权项】:
一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统,包括:活动束挡块,用以在第一方向上调整离子束的束宽度,所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向;扫描器,当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束;模式选择器,用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态;以及分析器磁体,其中所述活动束挡块安置在所述分析器磁体内。
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