[发明专利]离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统有效
申请号: | 201480064208.8 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN105765693B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 肯尼士·H·波什;克里斯多夫·坎贝尔;法兰克·辛克莱;罗伯特·C·林德柏格;约瑟·C·欧尔森 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨文娟,臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双模 离子 植入 | ||
1.一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统,包括:
活动束挡块,用以在第一方向上调整离子束的束宽度,所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向;
扫描器,当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束;
模式选择器,用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态;以及
分析器磁体,其中所述活动束挡块安置在所述分析器磁体内。
2.根据权利要求1所述的用于在离子植入器中进行双模式操作的系统,其中所述活动束挡块经配置以在第一位置与第二位置之间移动,其中在所述第一位置处,所述离子束形成具有由第一束高度与第一束宽度的比率界定的第一纵横比的带状束,并且在所述第二位置处,所述离子束形成具有由第二束高度与第二束宽度的比率界定的第二纵横比的点状束,其中所述第一纵横比小于所述第二纵横比。
3.根据权利要求1所述的用于在离子植入器中进行双模式操作的系统,其中所述模式选择器经配置以:
向所述活动束挡块发送第一信号以具有第一孔口宽度,所述第一孔口宽度经配置以传输带状束而不阻挡所述带状束,并且
发送第二信号以在所述活动束挡块具有所述第一孔口宽度时将所述扫描器维持处于所述第二状态。
4.根据权利要求1所述的用于在离子植入器中进行双模式操作的系统,其中所述模式选择器经配置以:
向所述活动束挡块发送第一信号以具有第二孔口宽度,所述第二孔口宽度经配置以阻挡入射于所述活动束挡块上的带状束的一部分,其中所述带状束的一部分作为点状束来传输;并且
发送第二信号至所述扫描器以在所述活动束挡块具有所述第二孔口宽度时扫描所述点状束。
5.一种离子植入器,包括:
离子源,用以产生离子束;
活动束挡块,安置在所述离子植入器中的第一地点处并且经配置以从第一位置移动到第二位置,其中在所述第一位置处,所述离子束形成具有第一束宽度的带状束,并且在所述第二位置处,所述离子束形成具有第二束宽度的点状束,其中所述第一束宽度大于所述第二束宽度;以及
分析器磁体,其中所述活动束挡块安置在所述分析器磁体内。
6.根据权利要求5所述的离子植入器,还包括扫描器,所述扫描器安置在所述活动束挡块的下游,其中所述扫描器经配置以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的行进方向的方向上扫描所述离子束,并且经配置以当在第二状态中时不受扰动地传输所述离子束。
7.一种操作离子植入器的方法,包括:
接收用以改变所述离子植入器的操作模式的输入;
向活动束挡块发送第一信号以调整孔口宽度来传输离子束,其中所述活动束挡块安置在所述离子植入器的分析器磁体内;以及
与所述第一信号一致地向扫描器发送第二信号以在第一状态与第二状态之间改变,其中在所述第一状态中,所述扫描器经配置以扫描所述离子束,并且在所述第二状态中,所述扫描器经配置以不受扰动地传输所述离子束。
8.根据权利要求7所述的操作离子植入器的方法,其中所述第一信号是对所述活动束挡块的信号,其用以将所述孔口宽度增大到经配置以传输带状束而不阻挡所述带状束的第一孔口宽度,并且其中所述第二信号是用以在所述活动束挡块具有所述第一孔口宽度时将所述扫描器维持处于所述第二状态的信号。
9.根据权利要求7所述的操作离子植入器的方法,其中所述第一信号是对所述活动束挡块的信号,其用以将所述孔口宽度减小到经配置以阻挡入射于所述活动束挡块上的带状束的一部分的第二孔口宽度,其中所述带状束的一部分作为点状束来传输,并且其中所述第二信号是用以在所述活动束挡块具有所述第二孔口宽度时将所述扫描器维持处于所述第一状态的信号。
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