[发明专利]磁阻效应元件、自旋MOSFET和自旋传导元件

摘要

本发明提供一种磁阻效应元件，其具备：半导体通道层(7)，经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A)，经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B)，半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成，第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×10¹⁹cm^‑3的浓度，第3区域的杂质浓度为1×10¹⁹cm^‑3以下，第1区域和第2区域隔着第3区域而分离，第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。

主权项

1.一种磁阻效应元件，其特征在于：具备：半导体通道层，磁化固定层，通过第1隧道层被配置于所述半导体通道层上，以及磁化自由层，通过第2隧道层被配置于所述半导体通道层上，所述半导体通道层实质上由与所述第1隧道层形成界面的第1区域、与所述第2隧道层形成界面的第2区域、以及第3区域构成，所述第1区域和所述第2区域的杂质浓度为超过1×1019cm‑3的浓度，所述第3区域的杂质浓度为1×1019cm‑3以下，所述第1区域和所述第2区域隔着所述第3区域而分离，所述第1区域和所述第2区域的杂质浓度分别在最接近于所述半导体通道层与所述第1隧道层的界面的部分、以及最接近于所述半导体通道层与所述第2隧道层的界面的部分成为最高，并且分别从所述半导体通道层与所述第1隧道层的界面以及所述半导体通道层与所述第2隧道层的界面开始在所述半导体通道层的厚度方向上单调地递减。