[发明专利]具有硅异质结的光伏电池

摘要

本发明涉及一种具有硅异质结的光伏电池，其包括掺杂晶体硅衬底(1)，其中：-衬底(1)的第一面相继地覆盖有钝化层(2)、非晶或p或p+掺杂的微晶硅层(3)以及透明导电材料层(6)，-衬底的第二面相继地覆盖有非晶或n或n+掺杂的微晶硅层(5)以及透明导电材料层(7)。在衬底(1)与非晶或n或n+掺杂的微晶硅层(5)之间，所述电池包括晶体半导电材料的层(10)，所述晶体半导电材料选自氮化镓或铟镓氮，并且具有与硅的导带基本上对齐的导带以及比硅的带隙更大的带隙，从而促进电子流通，而限制衬底(1)中的空穴向非晶或n或n+掺杂的微晶硅层(5)的流通。

主权项

一种具有硅异质结的光伏电池，包括n或p型掺杂晶体硅衬底(1)，其中：‑衬底(1)的第一主面相继地覆盖有钝化层(2)、p或p+型掺杂的非晶或微晶硅层(3)以及透明导电材料层(6)，‑衬底的第二主面相继地覆盖有n或n+型掺杂的非晶或微晶硅层(5)以及透明导电材料层(7)，所述电池的特征在于，在衬底(1)与n或n+型掺杂的非晶或微晶硅层(5)之间，所述电池包括晶体半导电材料的层(10)，所述晶体半导电材料选自氮化镓和铟镓氮，并且具有与硅的导带基本对齐的导带以及比硅的禁带更大的禁带，从而使得所述层(10)促进电子的流通，而限制空穴从衬底(1)到n或n+型掺杂的非晶或微晶硅层(5)的流通。