[发明专利]具有硅异质结的光伏电池

权利要求书

1.一种具有硅异质结的光伏电池，包括n或p型掺杂晶体硅衬底 (1)，其中：

-衬底(1)的第一主面相继地覆盖有钝化层(2)、p或p+型掺杂 的非晶或微晶硅层(3)以及透明导电材料层(6)，

-衬底的第二主面相继地覆盖有n或n+型掺杂的非晶或微晶硅层 (5)以及透明导电材料层(7)，

所述电池的特征在于，在衬底(1)与n或n+型掺杂的非晶或微晶 硅层(5)之间，所述电池包括晶体半导电材料的层(10)，所述晶体 半导电材料选自氮化镓和铟镓氮，并且具有与硅的导带基本对齐的导 带以及比硅的禁带更大的禁带，从而使得所述层(10)促进电子的流 通，而限制空穴从衬底(1)到n或n+型掺杂的非晶或微晶硅层(5) 的流通。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，衬底(1)的第二 主面具有使硅的晶面(111)显露出来的织构。

3.根据权利要求1至2中的一项所述的电池，其特征在于，所述 晶体半导电材料的层(10)的厚度包括在0.5nm与50nm之间，优选 地包括在1nm与10nm之间。

4.一种用于制造具有硅异质结的光伏电池的方法，其中：

在n或p掺杂晶体硅的衬底(1)的第一主面上，相继地形成钝化 层(2)、p或p+型掺杂的非晶或微晶硅层(3)、透明导电材料层(6) 以及载流子的第一收集极(8)，

在衬底(1)的第二主面上，相继地形成n或n+型掺杂的非晶或微 晶硅层(5)、透明导电材料层(7)以及载流子的第二收集极(9)，

所述方法的特征在于，在形成所述n或n+型掺杂的非晶或微晶硅 层(5)之前，通过外延而在衬底(1)上形成半导电材料的层(10)， 所述半导电材料选自氮化镓或铟镓氮，并且具有与硅的导带基本对齐 的导带以及比硅的禁带更大的禁带。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，预先对衬底(1) 的第二面进行织构，从而形成使硅的晶面(111)显露出来的金字塔形。

6.根据权利要求4或5中的一项所述的方法，其特征在于，晶体 半导电材料为氮化镓，并且在于，氮化镓层通过分子束外延或者通过 金属有机物气相外延来形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氮化镓层的外 延温度包括在600℃与800℃之间。

8.根据权利要求4至7中的任一项所述的方法，其特征在于，半 导电晶体材料的层(10)的厚度包括在0.5nm与50nm之间，优选地 包括在1nm与10nm之间。