[发明专利]十二羰基三钌的制造方法及制造装置有效
申请号: | 201480059221.4 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN105683410B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 中川裕文;石坂翼;石田博文;萩原谦;熊仓亚希子 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/16 | 分类号: | C23C16/16;C01G55/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 张苏娜,常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种DCR的制造方法,该方法可以有效地升华大量的粗制DCR,并且能够稳定地供应DCR。而且,本发明还涉及一种可适用于该制造方法的升华装置。在十二羰基三钌(DCR)形成的化学沉积原料用的有机钌化合物的制造方法中,包括通过升华法从粗制DCR中分离杂质元素以纯化DCR的工序;在该纯化工序中,在一氧化碳浓度30~100%的气氛下加热粗制DCR使其升华后,进行冷却以析出DCR。通过本发明,可以有效地升华大量的粗制DCR,并且能够稳定地供应DCR。 | ||
搜索关键词: | 十二 羰基 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种十二羰基三钌(DCR)的制造方法,其为由下式表示的DCR所形成的化学沉积原料用的有机钌化合物的制造方法,包括:[化1]通过升华法从粗制DCR中分离出杂质元素以纯化DCR的工序,其中在所述纯化工序中,从过滤精度为5μm至30μm的烧结过滤器下方对置于该烧结过滤器上方的粗制DCR供应CO气体,在一氧化碳浓度为30%至100%的气氛下加热粗制DCR使其升华后,进行冷却以析出DCR。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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