[发明专利]到晶片中的异构沟道材料集成有效
| 申请号： | 201480058901.4 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105684141B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | S·S·宋;C·F·耶普;Z·王;N·N·莫江德 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8258 | 分类号： | H01L21/8258;H01L21/822;H01L27/06;H01L27/092;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于将异构沟道材料集成到半导体器件中的方法，以及集成异构沟道材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法包括以第一热预算来处理第一材料的第一基板以制造p型器件。该方法进一步包括将第二材料的第二基板耦合到该第一基板。该方法还包括以小于该第一热预算的第二热预算处理该第二基板以制造n型器件。该p型器件和n型器件可以协作以形成互补器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 中的 沟道 材料 集成 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：以第一热预算处理第一材料的第一基板以制造p型器件；将第二材料的第二基板耦合到所述第一基板；以及以小于所述第一热预算的第二热预算处理所述第二基板以制造n型器件，其中所述p型器件和所述n型器件协作以形成互补器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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