[发明专利]到晶片中的异构沟道材料集成

说明书

用于将异构沟道材料集成到半导体器件中的方法，以及集成异构沟道材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法包括以第一热预算来处理第一材料的第一基板以制造p型器件。该方法进一步包括将第二材料的第二基板耦合到该第一基板。该方法还包括以小于该第一热预算的第二热预算处理该第二基板以制造n型器件。该p型器件和n型器件可以协作以形成互补器件。

背景技术

领域

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更具体而言涉及具有不同热预算的材料的异构沟道材料集成。

背景

半导体芯片级结合器件被用于多种消费者和商业应用。半导体器件通常是由单一类型的材料制作的。半导体器件也可以由基于晶格匹配和兼容晶体结构而生长到基板上的不同类型的材料制成。由复合材料(诸如III-V族材料)制造的半导体器件(即，该半导体结构多于一种材料)通常生长在砷化镓或者其他复合半导体基板上。因为硅和复合半导体材料的晶体结构之间晶格失配，所以这些器件难以与制造在硅上的电子器件集成。

概述

根据本公开一方面的用于制造器件的方法包括以第一热预算处理第一材料的第一基板以制造p型器件。此类方法进一步包括将第二材料的第二基板耦合到该第一基板。该方法还包括以小于该第一热预算的第二热预算处理第一基板以制造n型器件。该p型器件和n型器件可以协作以形成互补器件。

根据本公开另一方面的半导体器件包括具有第一热预算的第一材料的第一基板。该第一基板可包括p型器件。此类器件还包括耦合到该第一基板的具有第二热预算的第二材料的第二基板。该第二基板可包括n型器件。该p型器件和n型器件可以协作以形成互补器件。

根据本公开的一方面的另一半导体器件包括用于在具有第一热预算的第一材料的第一基板中传导第一载荷子类型的第一装置。此类器件还包括用于在第二基板中传导第二载荷子类型的第二装置。该第二基板可以是具有第二热预算的第二材料并且耦合到第一基板。该第一装置和第二装置可以协作以形成互补器件。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应该领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。

附图简述

为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。

图1解说了本公开一方面中的半导体器件的侧视图。

图2解说了本公开一方面中的将复合半导体基板耦合到不同材料系统半导体器件。

图3解说了本公开一方面中的形成在不同材料系统半导体器件上的复合半导体器件的侧视图。

图4是解说根据本公开的一方面的制作谐振器的方法的工艺流程图。

图5是示出其中可有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。

图6是解说根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局、以及逻辑设计的设计工作站的框图。

详细描述

以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有的配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。如本文所述的，术语“和/或”的使用旨在代表“可兼性或”，而术语“或”的使用旨在代表“排他性或”。