[发明专利]齐纳二极管有效
| 申请号： | 201480058416.7 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105684156B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 江口博臣;金原啓道;大川峰司;池田智史 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 齐纳二极管(10)包括：半导体基板(12)、阳极电极(40)和阴极电极(42)。半导体基板(12)包括p型阳极区(20)、n型电流路径区(22)和漂移区(24)。p型阳极区(20)连接到所述阳极电极(40)。n型电流路径区(22)与所述阳极区(20)接触。漂移区(24)与所述阳极区(20)和所述电流路径区(22)接触。漂移区(24)是n型的。漂移区(24)具有比所述电流路径区(22)低的n型杂质浓度。漂移区(24)直接地或经由另一个n型区(26)连接到所述阴极电极(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 | ||
【主权项】：
1.一种齐纳二极管，其特征在于包括：半导体基板；阳极电极；以及阴极电极，所述半导体基板包括p型的阳极区、n型的电流路径区、n型的漂移区以及n型的阴极区，所述阳极区连接到所述阳极电极，所述电流路径区与所述阳极区接触，所述漂移区与所述阳极区和所述电流路径区接触，所述漂移区具有比所述电流路径区低的n型杂质浓度，所述阴极区连接到所述阴极电极，所述阴极区与所述漂移区接触，所述漂移区将所述阴极区与所述阳极区和所述电流路径区隔离，所述阴极区具有比所述漂移区高的n型杂质浓度，所述漂移区通过施加的反向电压被整个耗尽，所述反向电压比所述齐纳二极管的反向击穿电压低，并且所述半导体基板是SOI基板，所述SOI基板包括第一半导体层、绝缘层和第二半导体层，所述绝缘层层压在所述第一半导体层上，所述第二半导体层层压在所述绝缘层上，所述阳极区、所述电流路径区、所述漂移区和所述阴极区形成在所述第二半导体层中，所述电流路径区形成在所述阳极区的下侧，所述绝缘层形成在所述电流路径区的下侧，所述第一半导体层形成在所述绝缘层的下侧，并且所述第一半导体层连接到所述阴极电极。
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