[发明专利]齐纳二极管有效
| 申请号： | 201480058416.7 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105684156B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 江口博臣;金原啓道;大川峰司;池田智史 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种齐纳二极管，其特征在于包括：
半导体基板；
阳极电极；以及
阴极电极，
所述半导体基板包括p型的阳极区、n型的电流路径区、n型的漂移区以及n型的阴极区，所述阳极区连接到所述阳极电极，所述电流路径区与所述阳极区接触，所述漂移区与所述阳极区和所述电流路径区接触，所述漂移区具有比所述电流路径区低的n型杂质浓度，所述阴极区连接到所述阴极电极，所述阴极区与所述漂移区接触，所述漂移区将所述阴极区与所述阳极区和所述电流路径区隔离，所述阴极区具有比所述漂移区高的n型杂质浓度，所述漂移区通过施加的反向电压被整个耗尽，所述反向电压比所述齐纳二极管的反向击穿电压低，并且
所述半导体基板是SOI基板，所述SOI基板包括第一半导体层、绝缘层和第二半导体层，所述绝缘层层压在所述第一半导体层上，所述第二半导体层层压在所述绝缘层上，
所述阳极区、所述电流路径区、所述漂移区和所述阴极区形成在所述第二半导体层中，
所述电流路径区形成在所述阳极区的下侧，
所述绝缘层形成在所述电流路径区的下侧，
所述第一半导体层形成在所述绝缘层的下侧，并且
所述第一半导体层连接到所述阴极电极。
2.根据权利要求1所述的齐纳二极管，其特征在于
所述漂移区的n型杂质浓度低于1×1015个原子/cm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480058416.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
