[发明专利]具有垂直存储器部件的单片式三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)有效
| 申请号： | 201480057939.X | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105683864B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | P·卡迈勒;Y·杜;K·萨马迪 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/32 | 分类号： | G06F1/32;H01L27/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 张扬,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有垂直存储器部件(64)的单片式三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)。具有用于块间布线的紧密间距的垂直单片式层间过孔(MIV)(68)和每个层(62)处用于块存取的复用器(70)的3D存储器交叉开关(66)架构被用来缩短整个导体的长度并且减少阻容(RC)延迟。对这样的长的交叉开关的消除减少了交叉开关的RC延迟并且通常改善性能和速度。此外，对长的水平交叉开关的消除使得导体布线更容易。具有其小的行程长度的MIV可以在不需要转发器的情况下工作(不同于长的交叉开关)，并且控制逻辑单元可以被用来基于使用配置存储体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 存储器 部件 单片 三维 集成电路 ic dic | ||
【主权项】：
一种三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)，包括：存储器结构，其包括：多个层，每个层具有存储元；垂直交叉开关，包括：多个单片式层间过孔(MIV)，其跨越所述多个层；第一复用器，其被安放在所述多个层之中的第一层中，并且耦合到所述多个层中的所述第一层内的至少第一相应的存储元；以及第二复用器，其被安放在所述多个层之中的第二层中，并且耦合到所述多个层中的所述第二层内的至少第二相应的存储元；以及控制逻辑单元，其被配置为，如果有存储元是活动的话，确定哪些存储元是活动的，并且基于这样的确定来重新配置对存储元的使用，其中，所述存储元在所述垂直交叉开关的两侧。
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