[发明专利]具有垂直存储器部件的单片式三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)

权利要求书

1.一种三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)，包括：

存储器结构，其包括：

多个层，每个层具有存储元；

垂直交叉开关，包括：

多个单片式层间过孔(MIV)，其跨越所述多个层；

第一复用器，其被安放在所述多个层之中的第一层中，并且耦合到所述多个层中的所述第一层内的至少第一相应的存储元；以及

第二复用器，其被安放在所述多个层之中的第二层中，并且耦合到所述多个层中的所述第二层内的至少第二相应的存储元；以及

控制逻辑单元，其被配置为，如果有存储元是活动的话，确定哪些存储元是活动的，并且基于这样的确定来重新配置对存储元的使用，

其中，所述存储元在所述垂直交叉开关的两侧。

2.根据权利要求1所述的3DIC，其中，被配置为重新配置对存储元的使用的所述控制逻辑单元将未被使用的存储元去激活，以使得功率被节省。

3.根据权利要求1所述的3DIC，其中，所述多个MIV被配置为充当用于所述存储器结构的交叉开关。

4.根据权利要求1所述的3DIC，其中，所述存储元包括随机存取存储器(RAM)。

5.根据权利要求4所述的3DIC，其中，所述RAM包括静态RAM(SRAM)。

6.根据权利要求1所述的3DIC，其中，所述多个层包括2n个存储体，其中，所述多个层包括n个层。

7.根据权利要求1所述的3DIC，其中，所述多个MIV包括微米长的量级的垂直长度。

8.根据权利要求1所述的3DIC，还包括：用于所述第一层内的存储元的至少一个水平交叉开关。

9.一种三维(3D)集成电路(IC)3DIC，包括：

多个层，每个层包括一个或多个客户端存储单元；

垂直交叉开关，其耦合所述客户端存储单元，并且允许在其间进行通信，所述垂直交叉开关包括：

多个单片式层间过孔(MIV)，其跨越所述多个层；以及

至少一个复用器，其与所述多个层中的每个层相关联；以及

控制逻辑单元，其被配置为，如果有客户端存储单元是活动的话，确定哪些客户端存储单元是活动的，并且基于这样的确定来重新配置对客户端存储单元的使用，

其中，所述一个或多个客户端存储单元在所述垂直交叉开关的两侧。

10.根据权利要求9所述的3DIC，其中，被配置为确定哪些客户端存储单元是活动的所述控制逻辑单元通过将不活动的客户端存储单元去激活来重新配置对客户端存储单元的使用。

11.根据权利要求9所述的3DIC，还包括水平交叉开关，其与所述多个层中的第一层相关联，其中，所述水平交叉开关将单个层内的多个客户端存储单元耦合到所述垂直交叉开关。

12.根据权利要求9所述的3DIC，其中，每个客户端存储单元包括随机存取存储器(RAM)。

13.根据权利要求12所述的3DIC，其中，所述RAM包括静态RAM(SRAM)。

14.根据权利要求9所述的3DIC，其中，至少一个层包括八个客户端存储单元。

15.根据权利要求14所述的3DIC，其中，所述垂直交叉开关被中心地安放在所述八个客户端存储单元之中。

16.根据权利要求9所述的3DIC，其中，所述垂直交叉开关支持置乱架构。

17.根据权利要求9所述的3DIC，其中，所述垂直交叉开关支持输入/输出架构。