[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480057867.9 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105659369B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 安藤善范;宫人秀和;山出直人;比嘉麻子;铃木视喜;家田義纪;铃木康太;根井孝征;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第一阻挡膜；所述第一阻挡膜上的第二绝缘膜，该第二绝缘膜包括包含超过化学计量组成的氧的区域；以及所述第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管，其中，通过热脱附谱分析测量的400℃以上的温度下的从所述第一绝缘膜脱离的氢分子的量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
