[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第一阻挡膜；

所述第一阻挡膜上的第二绝缘膜，该第二绝缘膜包括包含超过化学计量组成的氧的区域；以及

所述第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管，

其中，通过热脱附谱分析测量的400℃以上的温度下的从所述第一绝缘膜脱离的氢分子的量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在所述第一绝缘膜中通过热脱附谱分析测量的对于温度的质量电荷比为2的检测强度在400℃下为4×10^-11A以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管还包括：

与所述第一氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极；

所述第一氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的栅极绝缘膜；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

并且所述栅极绝缘膜、所述第二绝缘膜及所述第一氧化物半导体膜的每一个的氢浓度低于5×10¹⁸atoms/cm³。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述栅电极隔着所述栅极绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜的顶面及侧面对置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一阻挡膜包含氧化铝，

并且通过热脱附谱分析测量的20℃以上且600℃以下的温度下的从所述第一阻挡膜脱离的氢分子的量小于2×10¹⁵个/cm²。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述第一晶体管上的第二阻挡膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述第二阻挡膜包含氧化铝，

并且通过热脱附谱分析测量的20℃以上且600℃以下的温度下的从所述第二阻挡膜脱离的氢分子的量小于2×10¹⁵个/cm²。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中以夹着所述第一氧化物半导体膜的方式设置第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜，

并且所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜都包含所述第一氧化物半导体膜所包含的金属元素中的一种或多种。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中以与所述第一晶体管的所述源电极或所述漏电极电连接的方式设置电容器，

并且每电容1μF的所述第一晶体管的每沟道宽度1μm的关态电流在85℃下低于4.3yA。

10.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中以与所述第一晶体管的所述源电极或所述漏电极电连接的方式设置电容器，

并且每电容1μF的所述第一晶体管的每沟道宽度1μm的关态电流在95℃下低于1.5yA。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在所述第一绝缘膜的下方以与所述第一晶体管电连接的方式设置使用半导体衬底形成的第二晶体管。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管的S值为60mV/dec.以上且100mV/dec.以下。

13.一种半导体装置，包括：

第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第一阻挡膜；

所述第一阻挡膜上的第二绝缘膜，该第二绝缘膜包括包含超过化学计量组成的氧的区域；以及

所述第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管，

其中，通过热脱附谱分析测量的450℃下的从所述第一绝缘膜脱离的氢分子的量为350℃下的氢分子的脱离量的130％以下。