[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件

摘要

本发明涉及氮化物半导体紫外线发光元件，其在n型半导体层的露出面形成能够提高与n电极的接触特性的n电极形成层，从而能够改善电特性及光转换效率。为此，本发明的氮化物半导体紫外线发光元件包括在基板上依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层，并具备用于施加电流的n电极和p电极，其中，在通过对所述p型半导体层、有源层及所述n型半导体层的一部分进行蚀刻而露出的所述n型半导体层的露出面的一部分或整体具备n电极形成层，在所述n型半导体层露出面的上侧形成n型金属层，以覆盖所述n电极形成层，所述n电极形成层与所述n型半导体层相比，带隙能量小。

主权项

一种氮化物半导体紫外线发光元件，其包括在基板上依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层，并具备用于施加电流的n电极和p电极，所述氮化物半导体紫外线发光元件的特征在于，在通过对所述p型半导体层、有源层及所述n型半导体层的一部分进行蚀刻而露出的所述n型半导体层的露出面的一部分或整体具备n电极形成层，在所述n型半导体层的露出面的上侧以覆盖所述n电极形成层的方式形成n型金属层，所述n电极形成层与所述n型半导体层相比，带隙能量小。