[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体紫外线发光元件，其包括在基板上依次层叠的n型半导体 层、有源层和p型半导体层，并具备用于施加电流的n电极和p电极，

所述氮化物半导体紫外线发光元件的特征在于，

在通过对所述p型半导体层、有源层及所述n型半导体层的一部分进行蚀刻而露 出的所述n型半导体层的露出面的一部分或整体具备n电极形成层，在所述n型半导 体层的露出面的上侧以覆盖所述n电极形成层的方式形成n型金属层，所述n电极形 成层与所述n型半导体层相比，带隙能量小。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n型半导体层由Al_zGa_1-zN(0≤z≤1)的成分比例形成，所述n电极形成层 由Al_uGa_1-uN(0≤u≤1，u<z)的成分比例形成，从而所述n电极形成层与所述n型 半导体层相比，带隙能量小。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层形成为具备多层结构。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

形成所述n电极形成层的多层构成为带隙能量越靠近上部越减少的层结构。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层形成为带隙能量随着靠近上部逐渐减少的梯度(gradation)形 态。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层是通过选择区域生长法而再生长的。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层是通过如下方法而生长的：在所述n型半导体层的露出面形成 电介质层，在使所述电介质层的一部分开口之后，使半导体层生长。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述电介质层由SiO₂、SiO_x、SiN、SiN_x、Al₂O₃和GaO中的至少一个构成。

9.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

该氮化物半导体紫外线发光元件还包括电子阻挡层，该电子阻挡层设置于所述有 源层与所述p型半导体层之间。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层形成为彼此分开的条纹形态。

11.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层形成为彼此分开的环形形态。

12.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层包括主形成层及从所述主形成层延伸的多个副形成层。

13.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，

所述n电极形成层包括如下形态中的至少任一形态而构成：彼此分开的条纹形 态、彼此分开的环形形态、以及包括主形成层及从所述主形成层延伸的多个副形成层 的形态。