[发明专利]半导体接合用粘接膜有效
| 申请号： | 201480056218.7 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105637623B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胁冈纱香;末崎穣;江南俊夫;竹田幸平 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/60;C09J7/00;C09J201/00;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种半导体接合用粘接膜，其在贴合到晶片表面的状态下沿着划线(切割线)进行切割时，在与晶片的界面、特别是在与在划线上存在铝配线图案的晶片的界面，不易产生剥离。本发明为贴合到带铝配线图案的晶片的半导体接合用粘接膜，其中，(1)与切割刀的转速相当的频率下的贮藏弹性模量为7.5GPa以下，和/或，(2)使用2种以上表面能已知的测定试药所测得的、贴合于带铝配线图案的晶片的面的表面自由能γ中，分散成分(γsd)为30mJ/m2以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 用粘接膜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体接合用粘接膜，其特征在于，是贴合于带铝配线图案的晶片的半导体接合用粘接膜，所述带铝配线图案的晶片具有铝配线图案，所述铝配线图案在最外表面存在铝，其中，(1)在23℃下与切割刀的转速相当的频率下的贮藏弹性模量为3.5GPa以上且7.5GPa以下，且(2)使用2种以上表面自由能已知的测定试药所测得的、贴合于带铝配线图案的晶片的面的表面自由能γ中，分散成分以γsd表示为35mJ/m2以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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