[发明专利]半导体接合用粘接膜

说明书

本发明的目的在于，提供一种半导体接合用粘接膜，其在贴合到晶片表面的状态下沿着划线(切割线)进行切割时，在与晶片的界面、特别是在与在划线上存在铝配线图案的晶片的界面，不易产生剥离。本发明为贴合到带铝配线图案的晶片的半导体接合用粘接膜，其中，(1)与切割刀的转速相当的频率下的贮藏弹性模量为7.5GPa以下，和/或，(2)使用2种以上表面能已知的测定试药所测得的、贴合于带铝配线图案的晶片的面的表面自由能γ中，分散成分(γsd)为30mJ/m²以上。

技术领域

本发明涉及半导体接合用粘接膜，其在贴合于晶片表面的状态下沿着划线(切割线)进行切割时，在与晶片的界面、特别是在与在划线上存在铝配线图案的晶片的界面，不易产生剥离。

背景技术

近年来，为了应对越来越快发展的半导体装置的小型化、高集成化，使用了具有由焊料等形成的突起电极(凸块)的半导体芯片的倒装片安装一直受到注目。

在倒装片安装中，通常使用了以下方法：将半导体芯片的突起电极与其他半导体芯片或基板的电极接合后，注入底部填充材料而进行树脂密封(例如，专利文献1)。

然而，近年来，半导体芯片的小型化进行的同时，电极间的间距也变得越发狭窄，另外，伴随于此，半导体芯片之间或半导体芯片与基板之间的间隙也变窄，因此注入底部填充材料时空气被卷入，变得容易产生空隙。因此，使用了以下方法：在电极接合后，并不注入底部填充材料，而是将热固化型的粘接膜预先贴合于基板或半导体芯片，并利用加热同时进行电极接合与粘接膜的固化(例如，专利文献2)。

作为将粘接膜预先贴合到半导体芯片的方法，使用了以下方法：通过在硅晶片表面贴合粘接膜，并从粘接膜的表面沿着划线(切割线)进行切割，由此获得贴合有粘接膜的半导体芯片。图1表示示意性地表示形成有划线的硅晶片表面的一个区域的俯视图。如图1所示，在硅晶片1上以格子状形成有划线2，沿着划线2进行切割，由此获得半导体芯片3。在半导体芯片3上设置有多个突起电极4。

然而，在从粘接膜的表面进行切割刀切割的情况下，有时在粘接膜与硅晶片的界面产生剥离。

特别是，如图1所示，在划线2上存在被称为附件(accessory)且用作对准标记(alignment mark)等的金属配线图案5的情况下，存在以下问题：在该部分特别容易产生与粘接膜界面的剥离，而剥离导致接合可靠性降低；在剥离的部分混入切割屑等问题。进一步，在金属配线图案5的最外表面存在铝的情况下，铝容易在表面形成氧化膜且氧化铝的密合力较弱，因此存在在这样的铝配线图案与粘接膜的界面容易产生剥离的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-278334号公报

专利文献2：日本特开2011-29392号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供一种半导体接合用粘接膜，其在贴合于晶片表面的状态下沿着划线(切割线)进行切割时，在与晶片的界面、特别是在与在划线上存在铝配线图案的晶片的界面，不易产生剥离。

用于解决技术问题的手段

本发明为半导体接合用粘接膜，其是贴合于带铝配线图案的晶片上的半导体接合用粘接膜，其中，(1)与切割刀的转速相当的频率下的贮藏弹性模量为7.5GPa以下，和/或，(2)使用2种以上表面能已知的测定试药所测得的、贴合于带铝配线图案的晶片的面的表面自由能γ中，分散成分(γsd)为30mJ/m²以上。

以下，对本发明进行详细说明。