[发明专利]衬底和发光二极管

摘要

本发明涉及一种衬底，该衬底具有与参考平面不平行的上表面，其中，该衬底可以包括倾斜或弯曲的上表面或上层。此外，本发明涉及一种发光二极管，该发光二极管包括与参考平面不平行的有源层。本发明的发光二极管的特征可以在于，该有源层是弯曲的。此外，本发明的发光二极管的特征可以在于，所述发光二极管的侧壁是弯曲的。此外，本发明的发光二极管的特征可以在于，所述发光二极管的侧壁是弯曲且倾斜的。通过该配置，芯片的尺寸保持不变，同时用于发光的有源层的面积增加。此外，在所述芯片边缘处暴露的有源层的面积增加，并且从有源层的侧面发射的光朝向有源层的前侧，由此增强了所发射的光线的利用率。

主权项

1.一种发光二极管，包括：衬底；堆叠层，所述堆叠层包括n层、p层和形成在所述衬底上的有源层；以及所述堆叠层的侧壁；其中所述衬底的上平面或下平面、或所述衬底被放置的平面形成参考平面；倾斜有源层曲线被形成在所述有源层上，所述有源层偏离于所述参考平面并且相对于所述参考平面是倾斜的；以及倾斜曲线被形成在所述侧壁上并且相对于所述参考平面是倾斜的；包括具有各自的折射率的一个或多个层，所述一个或多个层覆盖所述倾斜曲线并且沿着所述侧壁的曲面的形状保持所述倾斜曲线的形状；通过侧壁暴露的所述有源层的截面面积向上和向下扩展；利用来自不穿过所述n层和所述p层的有源层的侧壁的提取，直接光发射增加；以及沿着所述侧壁的高度的方向的斜坡部分地不同。