[发明专利]衬底和发光二极管有效
申请号: | 201480055469.3 | 申请日: | 2014-10-06 |
公开(公告)号: | CN105765740B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 廉洪瑞 | 申请(专利权)人: | 廉洪瑞 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚开丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 发光二极管 | ||
本发明涉及一种衬底,该衬底具有与参考平面不平行的上表面,其中,该衬底可以包括倾斜或弯曲的上表面或上层。此外,本发明涉及一种发光二极管,该发光二极管包括与参考平面不平行的有源层。本发明的发光二极管的特征可以在于,该有源层是弯曲的。此外,本发明的发光二极管的特征可以在于,所述发光二极管的侧壁是弯曲的。此外,本发明的发光二极管的特征可以在于,所述发光二极管的侧壁是弯曲且倾斜的。通过该配置,芯片的尺寸保持不变,同时用于发光的有源层的面积增加。此外,在所述芯片边缘处暴露的有源层的面积增加,并且从有源层的侧面发射的光朝向有源层的前侧,由此增强了所发射的光线的利用率。
技术领域
本发明涉及增强发光二极管输出的衬底以及使用该衬底的二极管的结构。
背景技术
在传统的技术中,衬底的上平面和下平面是平行的。在上平面上形成的有源层通常与衬底的上平面和下平面平行。此外,具有六面体形状的芯片的外表面通常为矩形截面。在面向外部的截面上显露的每一层的形状为直线,相当于在芯片中垂直于外表面假想形成的人造截面的情形。
(非专利参考文献1)“Nitride-Based LEDs with Textured Side Walls(具有纹理侧壁的基于氮化物的发光二极管)”
(非专利参考文献2)IEEE光子技术快报,第16卷,第3号,750-751页,2004年3月
(非专利参考文献3)“Nitride-Based LEDs with Phosphoric Acid EtchedUndercut Side Walls(具有磷酸蚀刻的底切侧壁的基于氮化物的发光二极管)”
(非专利参考文献4)IEEE光子技术快报,第21卷,第8号,510-512页,2009年4月15日。
发明内容
技术问题
在保持芯片的平面尺寸的情况下使发光量增加。为了实现这个目标,保持芯片尺寸不变并且增加有源层的面积。另一方面,增加在边缘侧面上暴露的有源层的面积。再之,通过将从芯片的边缘侧面发出的光定向到前方来增加所发射光线的利用率。
技术方案
本发明的发光二极管包括不平行于参考平面的有源层。
此外,根据本发明的一个方面,有源层是弯曲的。
此外,根据本发明的另一个方面,有源层是倾斜的。
此外,根据本发明的另一个方面,边缘侧面是弯曲的。
此外,根据本发明的另一个方面,边缘侧面是倾斜的。
本发明的衬底包括不平行于下平面的上平面。也就是说,衬底的上平面与衬底的下平面不一致。该上平面包括一条或多条曲线。此外,上平面包括一个或多个梯度。
本发明的衬底包括上平面和下平面,其中,衬底上形成了一个或多个上层,并且该上层中的一个或多个上层与下平面不一致。该上平面包括一条或多条曲线。此外,上平面包括一个或多个梯度。
根据本发明的衬底包括与水平参考平面相对的上平面和下平面,其中,下平面被布置成与参考平面不一致。
根据本发明的发光二极管包括下述衬底,该衬底包含与下平面不一致的上平面。
根据本发明的发光二极管包括具有上平面和下平面的衬底。衬底上形成有一个或多个上层。该一个或多个上层中的一个或多个上层与下平面不一致。在二极管的边缘侧面上存在曲线。
根据本发明的发光二极管包括一个或多个衬底,其中,衬底包括与水平参考平面相对的上平面和下平面,并且下平面被布置成与相对的参考平面不一致。
有益效果
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