[发明专利]用于制造具有像素的微系统的方法在审
| 申请号： | 201480054691.1 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105593653A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 卡斯顿·吉伯乐;尼尔·康威 | 申请（专利权）人： | 派洛斯有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/34 | 分类号： | G01J5/34 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 英国爱丁*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造具有像素的微系统的方法，其包括以下步骤：提供硅晶片；在所述硅晶片的表面上制造热氧化硅层(5、6)；直接在所述氧化物(6)上制造铂层；冷却所述中间产物；进行所述铂层的像素状构造，用以形成像素(7、8)的底部电极(8、12)；将所述硅晶片的背对所述氧化层(5)的一侧上的材料移除，使得框架(3)保留下来且由所述氧化层(5、6)形成的膜片(4)被所述框架(3)横跨；完成所述微系统(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 像素 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有像素的微系统(1)的方法，其包括以下步骤：提供硅晶片；通过所述硅晶片的氧化在所述硅晶片的表面上制造介于200nm与1000nm之间的厚度的热氧化硅层作为基础层(5)；通过热沉积方法直接在所述基础层(5)上制造100nm到700nm的厚度的氧化硅薄层作为载体层(6)；通过热沉积方法直接在所述载体层(6)上制造40nm到200nm的厚度的铂层，借此制造包括所述硅晶片、所述基础层(5)、所述载体层(6)和所述铂层的中间产物；将所述中间产物冷却到室温；通过移除所述铂层的过剩区域进行所述铂层的像素状构造，借此通过剩余区域在所述载体层(5)上以像素形状形成像素(7、8)的底部电极(8、12)；将所述硅晶片的背对所述基础层(5)的一侧上的材料移除，使得框架(3)保留下来且由所述基础层(5)和所述载体层(6)形成的膜片(4)被所述框架(3)横跨；完成所述微系统(1)。
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