[发明专利]用于制造具有像素的微系统的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有像素的微系统(1)的方法，其包括以下步骤：

提供硅晶片；

通过所述硅晶片的氧化在所述硅晶片的表面上制造介于200nm与1000nm之间的 厚度的热氧化硅层作为基础层(5)；

通过热沉积方法直接在所述基础层(5)上制造100nm到700nm的厚度的氧化硅 薄层作为载体层(6)；

通过热沉积方法直接在所述载体层(6)上制造40nm到200nm的厚度的铂层，借 此制造包括所述硅晶片、所述基础层(5)、所述载体层(6)和所述铂层的中间产物；

将所述中间产物冷却到室温；

通过移除所述铂层的过剩区域进行所述铂层的像素状构造，借此通过剩余区域在所 述载体层(5)上以像素形状形成像素(7、8)的底部电极(8、12)；

将所述硅晶片的背对所述基础层(5)的一侧上的材料移除，使得框架(3)保留下 来且由所述基础层(5)和所述载体层(6)形成的膜片(4)被所述框架(3)横跨；

完成所述微系统(1)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在300℃到550℃下溅镀所述铂层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述方法包括以下步骤：通过热沉积方法 直接在所述铂层上制造0.2到5μm的厚度的铅-锆酸盐-钛酸盐层，借此所述中间产物包 括所述铅-锆酸盐-钛酸盐层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述铂层的所述像素状构造的进行期间，通 过移除所述铅-锆酸盐-钛酸盐层的过剩区域的同时构造出所述铅-锆酸盐-钛酸盐层，借此 通过所述铅-锆酸盐-钛酸盐层的剩余区域在所述底部电极(8、12)上形成所述像素(7、 11)的铅-锆酸盐-钛酸盐像素(9、13)。

5.根据权利要求3到4中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包括以下步骤： 通过热沉积方法直接在所述铅-锆酸盐-钛酸盐层上制造半透明导电的电极层，借此所述 中间产物包括所述电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述电极层由铂或镍-铁复合物或镍-铬复合物 制成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述铂层和所述铅-锆酸盐-钛酸盐层的所述 像素状构造的进行期间，通过移除第二铂层的过剩区域的同时构造出所述电极层，借此 通过所述第二铂层的剩余区域在所述铅-锆酸盐-钛酸盐像素(9、13)上形成所述像素(7、 11)的头部电极(10、14)。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中所述热沉积方法为溅镀方 法。