[发明专利]负极活性物质及其制造方法以及利用其的负极和非水电解质二次电池在审
| 申请号： | 201480054169.3 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105594025A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 西村健;松下雅;西久保英郎;樋上俊哉;打越昭成;小见川祐;中村健一;佐佐木宏和;山崎悟志 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;B22F9/04;B22F9/08;C22C28/00;C22C30/00;H01M4/36;H01M4/48 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 聂宁乐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种负极活性物质，其特征在于，含有硅、和可以与硅形成化合物的元素M，硅与所述元素M的组成是在从熔融状态冷却时硅与所述元素M的化合物最初析出、进一步冷却则纯硅或硅固溶体析出的组成。负极活性物质的特征在于，在电化学上具有Li传导性的第二相中分散有具有Li吸藏性的第一相，所述第一相进一步含有与第一相相比缺乏Li吸藏性的第三相。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 活性 物质 及其 制造 方法 以及 利用 水电 二次 电池 | ||
【主权项】：
一种负极活性物质，其特征在于，含有硅、和可以与硅形成化合物的元素M，硅与所述元素M的组成是在从熔融状态冷却时硅与所述元素M的化合物最初析出、进一步冷却则纯硅或硅固溶体析出的组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480054169.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
