[发明专利]用于处理衬底的系统以及处理衬底的方法有效
申请号: | 201480053404.5 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN105580113B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 詹姆士·P·布诺德诺 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H05H1/46 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 李艳,臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于处理衬底的系统以及处理衬底的方法。用于处理衬底的系统包含等离子体腔室,用于在其中产生等离子体。所述系统还包含处理腔室,用于容纳所述衬底,其中所述处理腔室邻近于所述等离子体腔室。所述系统还包含可旋转引出电极,设置在所述等离子体腔室与所述衬底之间,其中所述可旋转引出电极经配置以从所述等离子体提取离子束,且还经配置以通过绕引出电极轴旋转来使所述离子束在所述衬底上方扫描,而不需要所述衬底的移动。 | ||
搜索关键词: | 动态 电极 等离子体 系统 | ||
【主权项】:
一种用于处理衬底的系统,其特征在于包括:等离子体腔室,用于在其中产生等离子体;处理腔室,用于容纳所述衬底,所述处理腔室邻近于所述等离子体腔室;以及可旋转引出电极,设置在所述等离子体腔室与所述衬底之间,所述可旋转引出电极经配置以从所述等离子体提取离子束,且经配置以通过绕引出电极轴旋转来使所述离子束在所述衬底上方扫描,而不需要所述衬底的移动,其中所述可旋转引出电极包括具有平行于所述引出电极轴的纵长尺寸的细长提取孔径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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