[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种能够提高耐压的半导体装置。具有衬底(1)；n型的漂移区域(4)，其形成于衬底(1)的主面；p型的阱区域(2)、n型的漏极区域(5)及n型的源极区域(3)，它们分别在漂移区域(4)内，从漂移区域(4)的与同衬底(1)接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿第2主面的垂直方向延伸设置；栅极槽(8)，其从第2主面开始沿垂直方向设置，在与衬底1的第1主面平行的方向上将源极区域(3)以及阱区域(2)贯通；以及栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)而形成于栅极槽(8)的表面，漂移区域(4)的杂质浓度比衬底(1)的杂质浓度高，阱区域(2)延伸设置至衬底(1)内。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；第1导电型的漂移区域，其形成于所述衬底的第1主面，由与所述衬底相同的材料构成，与所述衬底相比，该漂移区域杂质浓度高；第2导电型的阱区域，其在所述漂移区域内，从所述漂移区域的与同所述衬底接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿所述第2主面的垂直方向延伸设置，且该阱区域的端部延伸设置至所述衬底内；第1导电型的漏极区域，其在所述漂移区域内与所述阱区域分离，从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置；第1导电型的源极区域，其在所述阱区域内，从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置；栅极槽，其从所述第2主面开始沿所述垂直方向设置，在与所述第2主面平行的一个方向上，以将所述源极区域及所述阱区域贯通的方式延伸设置；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜而形成于所述栅极槽的表面；源极电极，其与所述源极区域及所述阱区域电连接；以及漏极电极，其与所述漏极区域电连接。