[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

衬底；

第1导电型的漂移区域，其形成于所述衬底的第1主面，由与所述衬底相同的材料构成，与所述衬底相比，该漂移区域杂质浓度高；

第2导电型的阱区域，其在所述漂移区域内，从所述漂移区域的与同所述衬底接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿所述第2主面的垂直方向延伸设置，且该阱区域的端部延伸设置至所述衬底内；

第1导电型的漏极区域，其在所述漂移区域内与所述阱区域分离，从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置；

第1导电型的源极区域，其在所述阱区域内，从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置；

栅极槽，其从所述第2主面开始沿所述垂直方向设置，在与所述第2主面平行的一个方向上，以将所述源极区域及所述阱区域贯通的方式延伸设置；

栅极电极，其隔着栅极绝缘膜而形成于所述栅极槽的表面；

源极电极，其与所述源极区域及所述阱区域电连接；以及

漏极电极，其与所述漏极区域电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底为第1导电型。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底为半绝缘性或者绝缘性。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底由碳化硅构成。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极区域在所述垂直方向上延伸设置至所述衬底内。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极槽在所述垂直方向上延伸设置至所述衬底内。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极槽在所述垂直方向上比所述源极区域更深。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极槽在所述垂直方向上比所述阱区域更深。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漏极区域在所述垂直方向上延伸设置至所述衬底内。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有源极槽，其在所述源极区域从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极槽的宽度比所述栅极槽的宽度更宽。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有漏极槽，其在所述漏极区域从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述漏极槽的宽度比所述栅极槽的宽度更宽。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具有：

源极槽，其在所述源极区域从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置；以及

漏极槽，其在所述漏极区域从所述第2主面开始沿所述垂直方向延伸设置。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极槽的宽度比所述漏极槽的宽度更宽，并且所述漏极槽的宽度比所述栅极槽的宽度更宽。

16.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极槽的底部与所述衬底接触，

还具有第2导电型的阱接触区域，其在所述源极槽的底部形成为与所述阱区域接触，

所述阱接触区域、所述源极区域以及所述阱区域获得相同的电位。

17.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第1导电型的背面导电区域，其形成于与所述衬底的第1主面相反一侧的第2主面，

所述漏极区域在所述垂直方向上将所述衬底贯通并延伸设置至所述背面导电区域为止。