[发明专利]研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法有效
| 申请号： | 201480050581.8 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105531799B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 田中佑宜;佐藤一弥;小林修一 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/11 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定得到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限，所述研磨残渣的量，是根据通过X射线荧光分析法得到的X射线荧光光谱，检测含有Si‑Kα射线的信号来进行测定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
