[发明专利]研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法

说明书

本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。

技术领域

本发明涉及一种研磨垫的使用期限的评价方法、及利用该评价方法来进行的晶圆的研磨方法。

背景技术

以往，使用于晶圆研磨中的研磨垫的寿命(使用期限)，要在清洗实际使用该研磨垫研磨后的晶圆之后，利用检查装置来监控晶圆的多个质量项目，并且在有检测到任何一个质量项目产生异常时，才能判断出来。

作为其中一个质量项目，举例来说，可使用表示晶圆表面的洁净度的LPD(LightPoint Defects，光点缺陷)。该LPD是使激光照射晶圆的表面，并通过将该反射光加以聚光来进行测定。当晶圆的表面上存在有微粒或晶体原生COP(Crystal Original Pit，凹点)的情况下，反射光会进行乱反射，因此通过光接受器来聚光这些漫射光便可检测出微粒和COP的存在。这时候，预先设定好作为测定对象的微粒和COP的直径，并测定所设定的直径以上的微粒和COP的总数。当该LPD的测定值超过成为异常与否判定的基准的基准值时，便判断研磨垫已达到使用期限(参照专利文献1)。

图8示出双面研磨后的晶圆的LPD与研磨垫使用时间的关系的一例。图表的纵轴表示LPD的测定值与基准值的比值(LPD/基准值)，横轴表示研磨垫的使用时间(min)，其中，基准值成为异常与否判定的基准。此外，LPD的测定实施3次，3次都是以四通道式的双面研磨装置来研磨直径300mm的多片硅晶圆，清洗研磨后的硅晶圆，并进行干燥处理后，利用KLA-Tencor公司制造的Surfscan SP1进行LPD的测定。此时，统计直径为0.2μm以上的LPD的个数。研磨垫使用发泡聚氨酯垫(JH RHODES公司制造的LP-57)，研磨浆使用氢氧化钾(KOH)碱性基底的胶体二氧化硅(FUJIM公司制造的GLANZOX2100)。

(LPD/基准值)的值超过1时，晶圆判定为不合格，从而判断研磨垫已达到使用期限。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开平成11-260769号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

图8的图表示出上述测试了3次的结果(图8中的Sample(样本)1～3)。这3次的双面研磨，即便使用同种的双面研磨装置、部件，但是各研磨垫却仍显示出不同的使用期限。这样，由于每个研磨垫的使用期限都不同，因此存在难以预先决定研磨垫的使用期限的问题。而且，研磨后的晶圆直到LPD超过基准值为止，都无法知道研磨垫的使用期限。因此，直到质量项目的检查结果反馈(feedback)为止，已经达到使用期限的研磨垫还是继续地被用于研磨，这段期间会产生被浪费消耗掉的时间和晶圆(在图8中以虚线圈起的部分)，也会产生生产率及成品率降低的问题。

本发明是鉴于所述上述这样的问题而完成，其目地在于提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时评价研磨垫的使用期限，从而能够抑制晶圆研磨时的生产率及成品率的降低。

(二)技术方案

为了实现上述目的，根据本发明，提供一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定得到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。

这么做的话，能够根据研磨垫来直接评价使用期限，且能够在测定后立即个别地判断研磨垫是否已达到使用期限。其结果，能够减少因使用已达到使用期限的研磨垫来研磨所导致的时间和晶圆等的浪费，从而能够抑制生产率及成品率的降低。