[发明专利]R‑T‑B系烧结磁体的制造方法

摘要

一种磁体的制造方法，包括磁体的准备工序，其准备如下磁体用式uRwBxGayCuzAlqM余量T表示，RH为5％以下，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足50w‑18.5≤v≤50w‑14、‑12.5w+38.75≤v≤‑62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w50w‑18.5≤v≤50w‑15.5、‑12.5w+39.125≤v≤‑62.5w+86.125，x‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.5≤x≤‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.8；高温热处理工序，其将磁体加热到730℃以上且1020℃以下后以20℃/分钟以上冷却到300℃；以及加热到440℃以上且550℃以下的低温热处理工序。

主权项

一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：准备R‑T‑B系烧结磁体材料的工序：所述R‑T‑B系烧结磁体材料用下述式(1)表示，uRwBxGayCuzAlqM(100‑u‑w‑x‑y‑z‑q)T (1)其中，R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一种，T为过渡金属元素，必须包含Fe，M为Nb和/或Zr，u、w、x、y、z、q及100‑u‑w‑x‑y‑z‑q表示质量％，所述RH为R‑T‑B系烧结磁体的5质量％以下，满足下述式(2)～(5)，0.20≤x≤0.70 (2)0.07≤y≤0.2 (3)0.05≤z≤0.5 (4)0≤q≤0.1 (5)且0.844≤w≤0.93，在将R‑T‑B系烧结磁体的以质量％计的氧量设为α、将以质量％计的氮量设为β、将以质量％计的碳量设为γ时，v＝u‑(6α+10β+8γ)，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足下述式(6)及(7)，50w‑18.5≤v≤50w‑14 (6)‑12.5w+38.75≤v≤‑62.5w+86.125 (7)在0.20≤x＜0.40时，v、w满足下述式(8)及(9)，x满足下述式(10)，50w‑18.5≤v≤50w‑15.5 (8)‑12.5w+39.125≤v≤‑62.5w+86.125 (9)‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.5≤x≤‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.8(10)；高温热处理工序：其将所述R‑T‑B系烧结磁体材料加热到730℃以上且1020℃以下的温度后，以20℃/分钟以上冷却到300℃；低温热处理工序：将所述高温热处理工序后的R‑T‑B系烧结磁体材料加热到440℃以上且550℃以下的温度。