[发明专利]R‑T‑B系烧结磁体的制造方法有效
申请号: | 201480046365.6 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN105474337B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 山方亮一;石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C21D6/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及R-T-B系烧结磁体。
背景技术
已知以R2T14B型化合物为主相的R-T-B系烧结磁体(R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH,RL为Nd和/或Pr,RH为Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一种,T为过渡金属元素,必须含Fe)是永磁体中性能最高的磁体,用于混合动力汽车、电动汽车、家电制品中使用的各种电动机等。
R-T-B系烧结磁体在高温下矫顽力HcJ(以下有时简单记载为“HcJ”)降低,引起不可逆热退磁。因此,特别是用于混合动力汽车用电动机、电动汽车用电动机中时,要求高温下也维持高HcJ。并且,为了不引起高温下不可逆热退磁,要求在室温下获得更高的HcJ。
一直以来,为了提高HcJ,在R-T-B系烧结磁体中添加较多的重稀土元素(主要是Dy),但存在残留磁通密度Br(以下有时简单记载为“Br”)降低的问题。因此,近年采用了如下方法:使重稀土元素从R-T-B系烧结磁体的表面扩散到内部,使重稀土元素在主相晶粒的外壳部稠化,抑制Br的降低并且获得高HcJ。
但是,Dy由于产地有限等理由,具有供给不稳定或者价格变动等问题。因此,要求尽量不使用Dy等重稀土元素(尽量减少使用量)地提高R-T-B系烧结磁体的HcJ的技术。
专利文献1记载了:通过与通常的R-T-B系合金相比降低B量且使其含有选自Al、Ga、Cu中的1种以上的金属元素M,而生成R2T17相,通过充分确保以该R2T17相为原料生成的过渡金属富集相(R6T13M)的体积率,从而获得抑制Dy的含量且矫顽力高的R-T-B系稀土烧结磁体。此外,作为R-T-B系稀土烧结磁体的制造方法,记载了对烧结后的烧结体以800℃和500℃的2阶段的温度进行热处理并冷却。
此外,专利文献2记载了:规定了有效稀土含量和有效硼含量并且含有Co、Cu及Ga的合金与此前的合金相比,具有相同的残留磁化Br和高矫顽力HcJ。此外,作为Nd-Fe-B永磁体的制造方法,记载了对烧结后的烧结体以400℃~550℃进行热处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2013/008756号
专利文献2:日本特表2003-510467号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,专利文献1、2的R-T-B系稀土烧结磁体中,R、B、Ga、Cu的含有比例并非最佳,因此不能获得高Br和高HcJ。
本发明是为了解决上述课题而进行的,目的在于提供一种抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R-T-B系烧结磁体的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明的方式1为一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于,其包括如下工序:
准备R-T-B系烧结磁体材料的工序,所述R-T-B系烧结磁体材料用下述式(1)表示,
uRwBxGayCuzAlqM(100-u-w-x-y-z-q)T(1)
(R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH,RL为Nd和/或Pr,RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一种,T为过渡金属元素,必须包含Fe,M为Nb和/或Zr,u、w、x、y、z、q及100-u-w-x-y-z-q表示质量%。)
前述RH为R-T-B系烧结磁体的5质量%以下,满足下述式(2)~(5),
0.20≤x≤0.70(2)
0.07≤y≤0.2(3)
0.05≤z≤0.5(4)
0≤q≤0.1(5)
在将R-T-B系烧结磁体的氧量(质量%)设为α、将氮量(质量%)设为β、将碳量(质量%)设为γ时,v=u-(6α+10β+8γ),
在0.40≤x≤0.70时,v、w满足下述式(6)及(7),
50w-18.5≤v≤50w-14(6)
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