[发明专利]石墨衬底上的Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ化合物半导体膜在审
| 申请号： | 201480046331.7 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105474360A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | B-O·费姆兰;D·L·戴斯;H·沃曼 | 申请（专利权）人： | 挪威科技大学（NTNU） |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;赵蓉民 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 衬底 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
一种物质组合物，其包括在石墨衬底上的膜，其中所述组合物以如下的顺序包括，(a)石墨衬底，(b)基层膜，其包括与石墨烯的晶格失配为2.5％或更小，优选地1％或更小的元素或化合物；和(c)III‑V族化合物或II‑VI族化合物或IV族化合物的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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