[发明专利]蚀刻方法

摘要

提供对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法。该方法包括如下工序：在设置于被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序(a)；以由嵌段共聚物层形成包含第1聚合物的第1区域和包含第2聚合物的第2区域的方式对被处理体进行处理的工序(b)；在对被处理体进行处理的工序(b)之后，对第2区域和该第2区域的正下方的中间层进行蚀刻而形成掩模的工序(c)；在形成掩模的工序(c)之后，在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含四氯化硅气体和氧气的处理气体的等离子体，在掩模上形成保护膜的工序(d)；以及在形成保护膜的工序(d)之后，对被蚀刻层进行蚀刻的工序(e)。

主权项

一种对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法，其包括如下工序：在设置于所述被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序；以由所述嵌段共聚物层形成包含所述第1聚合物的第1区域和包含所述第2聚合物的第2区域的方式对所述被处理体进行处理的工序；在对所述被处理体进行处理的工序之后，对所述第2区域和该第2区域的正下方的中间层进行蚀刻而形成掩模的工序；在形成所述掩模的工序之后，在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含四氯化硅气体和氧气的处理气体的等离子体，在所述掩模上形成保护膜的工序；以及在形成所述保护膜的工序之后，对所述被蚀刻层进行蚀刻的工序。