[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法，其包括如下工序：

在设置于所述被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序；

以由所述嵌段共聚物层形成包含所述第1聚合物的第1区域和包含所述第2聚合物的第2区域的方式对所述被处理体进行处理的工序；

在对所述被处理体进行处理的工序之后，对所述第2区域和该第2区域的正下方的中间层进行蚀刻而形成掩模的工序；

在形成所述掩模的工序之后，在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含四氯化硅气体和氧气的处理气体的等离子体，在所述掩模上形成保护膜的工序；以及

在形成所述保护膜的工序之后，对所述被蚀刻层进行蚀刻的工序。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述被蚀刻层为含有硅的层，

对所述被蚀刻层进行蚀刻的工序中，在所述处理容器内，生成包含全氟烃气体和氢氟烃气体中的至少一种气体的处理气体的等离子体。

3.一种对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法，其包括如下工序：

在设置于所述被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序；

以由所述嵌段共聚物层形成包含所述第1聚合物的第1区域和包含所述第2聚合物的第2区域的方式对所述被处理体进行处理的工序；

在对所述被处理体进行处理的工序之后，对所述第2区域和该第2区域的正下方的中间层进行蚀刻而形成掩模的工序；以及

在形成所述掩模的工序之后，对所述被蚀刻层进行蚀刻的工序，

所述被蚀刻层为含有氧化硅或氮化硅的层，

对所述被蚀刻层进行蚀刻的工序中，在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含全氟烃气体和氢氟烃气体中的至少一种气体并且包含溴化氢气体的气体的等离子体。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的方法，其中，所述第1聚合物为聚苯乙烯，所述第2聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯。