[发明专利]EL用光提取薄膜、EL用光提取薄膜的制造方法以及面发光体有效
| 申请号： | 201480044703.2 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105493624B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 越峠晴贵 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/02 | 分类号： | H05B33/02;B32B7/02;F21V3/04;G02B5/02;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的EL用光提取薄膜包含扩散层和凹凸结构层，所述扩散层包含第1光扩散微粒，所述凹凸结构层根据需要包含第2光扩散微粒，所述EL用光提取薄膜满足Px‑Py≥5质量％，其中，Px表示所述第1光扩散微粒相对于所述扩散层总质量的含有率，Py表示所述第2光扩散微粒相对于所述凹凸结构层总质量的含有率。 | ||
| 搜索关键词： | el 用光 提取 薄膜 制造 方法 以及 发光体 | ||
【主权项】：
一种EL用光提取薄膜，是包含扩散层和凹凸结构层的EL用光提取薄膜，其特征在于，所述扩散层包含第1光扩散微粒，所述凹凸结构层包含或不包含第2光扩散微粒，所述EL用光提取薄膜满足下式(1)，Px‑Py≥5质量％ (1)Px表示所述第1光扩散微粒相对于所述扩散层总质量的含有率，Py表示所述第2光扩散微粒相对于所述凹凸结构层总质量的含有率。
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