[发明专利]EL用光提取薄膜、EL用光提取薄膜的制造方法以及面发光体

权利要求书

1.一种EL用光提取薄膜，是包含扩散层和凹凸结构层的EL用光提取薄膜，其特征在于，

所述扩散层包含第1光扩散微粒，

所述凹凸结构层包含或不包含第2光扩散微粒，

所述EL用光提取薄膜满足下式(1)，

Px-Py≥5质量％(1)

Px表示所述第1光扩散微粒相对于所述扩散层总质量的含有率，Py表示所述第2光扩散微粒相对于所述凹凸结构层总质量的含有率。

2.如权利要求1所述的EL用光提取薄膜，所述光提取薄膜还包含基材，在所述基材上依序具有所述扩散层、所述凹凸结构层。

3.如权利要求1或2所述的EL用光提取薄膜，所述第1光扩散微粒相对于所述扩散层总质量的含有率Px为10质量％以上。

4.如权利要求1所述的EL用光提取薄膜，所述扩散层含有第1树脂，所述扩散层中含有的所述第1光扩散微粒在所述第1树脂中均匀分散。

5.如权利要求4所述的EL用光提取薄膜，所述第1树脂的折射率Rxm与所述扩散层中含有的所述第1光扩散微粒的折射率Rxp之差为0.05～0.30。

6.如权利要求4或5中任一项所述的EL用光提取薄膜，所述第1树脂的折射率Rxm与所述扩散层中含有的所述第1光扩散微粒的折射率Rxp之差为0.15～0.30。

7.如权利要求1或2所述的EL用光提取薄膜，所述扩散层的厚度为1μm～50μm。

8.如权利要求中1或2所述的EL用光提取薄膜，所述第2光扩散微粒相对于所述凹凸结构层总质量的含有率Py为20质量％以下。

9.如权利要求1或2所述的EL用光提取薄膜，所述凹凸结构层中实质上不含所述第2光扩散微粒。

10.如权利要求1或2所述的EL用光提取薄膜，所述凹凸结构层含有第2树脂，所述第2树脂的折射率Rym为1.40～1.80。

11.如权利要求10所述的EL用光提取薄膜，所述第2树脂的折射率Rym为1.55～1.80。

12.一种面发光体，含有权利要求1～11中任一项所述的EL用光提取薄膜以及EL发光元件。

13.如权利要求12所述的面发光体，所述面发光体的色度变化量Δu’v’为0.01以下。

14.EL用光提取薄膜的制造方法，在扩散片和具有凹凸结构的转印部的模具之间供给活性能量射线固化性树脂组合物，向所述活性能量射线固化性树脂组合物照射活性能量射线。