[发明专利]硅中的热处理

摘要

提供了处理具有含有内部氢源的晶体硅区域的器件的方法。所述方法包括：i)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；ii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；和iii)冷却所述器件，其中所述加热步骤或冷却步骤或二者在光照下完成。

主权项

1.一种处理具有晶体硅区域的器件的方法，所述晶体硅区域具有至少一个整流结，所述晶体硅区域含有内部氢源，所述方法包括i)通过以下制备所述器件的所述晶体硅区域：将在所述晶体硅区域的一个或多个表面上具有一个或多个含氢介电层的所述晶体硅区域加热至高于700℃的温度，从而形成所述内部氢源；ii)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；iii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；以及iv)随后冷却所述器件；其中在叠层期间在加热步骤和冷却步骤中至少一种的期间，光照所述器件以产生在所述晶体硅区域的整体中的电子空穴对并钝化所述晶体硅区域的整体中的缺陷，其中，具有在硅内产生电子空穴对的足够能量的所有入射光子的累积功率为至少100mW/cm2。