[发明专利]硅中的热处理

权利要求书

1.一种处理具有晶体硅区域的器件的方法，所述晶体硅区域具有至少一个整流结，所述晶体硅区域含有内部氢源，所述方法包括

i)通过以下制备所述器件的所述晶体硅区域：将在所述晶体硅区域的一个或多个表面上具有一个或多个含氢介电层的所述晶体硅区域加热至高于700℃的温度，从而形成所述内部氢源；

ii)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；

iii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；以及

iv)随后冷却所述器件；

其中在叠层期间在加热步骤和冷却步骤中至少一种的期间，光照所述器件以产生在所述晶体硅区域的整体中的电子空穴对并钝化所述晶体硅区域的整体中的缺陷，其中，具有在硅内产生电子空穴对的足够能量的所有入射光子的累积功率为至少100mW/cm²。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在叠层期间在加热步骤期间光照所述器件。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述含有氢源的晶体硅区域包括包含在所述晶体硅区域的晶体硅内的间隙的原子氢。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述含有氢源的晶体硅区域包括其中通过与氢原子结合来失活一些掺杂剂原子的掺杂晶体硅区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其中当所述晶体硅区域处于升高的温度下，通过光照所述掺杂的晶体硅区域重新活化一些失活的掺杂剂原子。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述封装材料包含施加于所述器件的每个表面上的粘结片和每个粘结片上的玻璃片，并且施加压力和加热的步骤使所述粘结片粘结至相应的玻璃片和所述器件的相应表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中每个粘结片是乙烯醋酸乙烯酯材料的片材。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述掺杂晶体硅区域是所述器件的表面区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在无光照下或在低光照条件下通过加热所述器件将氢从所述一个或多个介电层引入到所述晶体硅区域中以失活所述晶体硅区域内的掺杂剂原子。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个或多个介电层包括氮化硅、非晶硅、氮氧化硅、氧化铝中一种或多种的层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述器件包括氢必须扩散通过的硅表面n-型扩散层以及所述硅表面n-型扩散层具有1×10²⁰个原子/cm³或更低的净活性掺杂浓度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述器件包括氢必须扩散通过的硅表面扩散p-型层以及所述硅表面扩散p-型层具有1×10¹⁹个原子/cm³或更低的净活性掺杂浓度。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中在叠层期间加热所述器件包括加热至少所述器件的区域至至少40℃，同时用至少一个光源照射至少一些所述器件。

14.根据权利要求1所述的方法，其中光照所述器件是来自至少一个光源并以一定水平提供，通过所述水平具有在硅内产生电子空穴对的足够能量的所有入射光子的累积功率为至少150mW/cm²。