[发明专利]用于改善金属氧化物半导体层的导电率的方法有效
| 申请号： | 201480041709.4 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105409003B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | M·纳格;A·布罗卡姆;R·穆勒 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO;鲁汶天主教大学研究开发部 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 罗婷婷 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地发现该方法导致金属氧化物半导体层在预定位置处有增加的导电率。本公开的方法可有利地用在针对自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，以改善源极和漏极区域中的导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 金属 氧化物 半导体 导电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板(10)上提供金属氧化物半导体层(12)；在所述金属氧化物半导体层(12)的顶部沉积栅极介电层(13)；在所述栅极介电层(13)上沉积栅极电极层(14)；图案化所述栅极电极层(14)以及所述栅极介电层(13)以形成栅极电极(141)和栅极绝缘体(131)；图案化所述金属氧化物半导体层(12)，由此限定所述薄膜晶体管的源极区域(111)、沟道区域(110)和漏极区域(112)；以及借助原子层沉积来沉积金属氧化物层(15)，由此增加所述金属氧化物半导体层在其中所述金属氧化物层与所述金属氧化物半导体层直接物理接触的所述源极区域(111)及所述漏极区域(112)中的导电率。
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