[发明专利]用于改善金属氧化物半导体层的导电率的方法

权利要求书

1.一种用于制造自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基板(10)上提供金属氧化物半导体层(12)；

在所述金属氧化物半导体层(12)的顶部沉积栅极介电层(13)；

在所述栅极介电层(13)上沉积栅极电极层(14)；

图案化所述栅极电极层(14)以及所述栅极介电层(13)以形成栅极电极(141)和栅极绝缘体(131)；

图案化所述金属氧化物半导体层(12)，由此限定所述薄膜晶体管的源极区域(111)、沟道区域(110)和漏极区域(112)；以及

借助原子层沉积来沉积金属氧化物层(15)，由此增加所述金属氧化物半导体层在其中所述金属氧化物层与所述金属氧化物半导体层直接物理接触的所述源极区域(111)及所述漏极区域(112)中的导电率。

2.根据权利要求1所述的方法，借助原子层沉积来沉积金属氧化物层(15)包括：借助原子层沉积在所述金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中所述金属氧化物层在所述源极区域及所述漏极区域与所述金属氧化物半导体层物理接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物层(15)具有在10nm和100nm的范围内的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述金属氧化物层(15)是以处于150℃和200℃之间的范围内的温度完成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层(12)是氧化镓铟锌层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物层(15)是Al₂O₃层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述Al₂O₃层是用三甲基铝和水H₂O作为反应物来沉积的。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在在所述金属氧化物半导体层的顶部提供所述金属氧化物层之前：

提供在所述源极区域及所述漏极区域处与所述金属氧化物半导体层物理接触的还原层，所述还原层包括碱金属或碱土金属；

引起所述还原层和所述金属氧化物半导体层之间的化学还原反应；以及

将所述还原层和反应副产物从所述还原反应中移除。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述金属氧化物层(15)的顶部提供介电层(16)；

形成穿过所述介电层(16)和所述金属氧化物层(15)的通孔；以及

用金属填充所述通孔以形成源极电极(21)和漏极电极(22)。

10.根据权利要求1或权利要求9中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法是以低于200℃的温度执行的。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板是低成本的易弯曲基板。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括PET聚乙烯对苯二甲酸酯、PEN聚萘二甲酸乙二酯或PC聚碳酸酯。