[发明专利]接合体的制造方法及功率模块用基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480041137.X 申请日: 2014-08-18
公开(公告)号: CN105659377B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 寺崎伸幸;长友义幸 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;B23K35/30;C22C9/00;C22C9/02;H01L23/13;H01L23/36
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的制造方法为制造接合由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件而成的接合体的方法,所述接合体的制造方法具备:层叠工序,通过含3质量%以上10质量%以下的P的Cu‑P系钎料和活性金属材料层叠所述陶瓷部件与所述Cu部件;及加热处理工序,对层叠的所述陶瓷部件及所述Cu部件进行加热处理。
搜索关键词: 接合 制造 方法 功率 模块 用基板
【主权项】:
1.一种接合体的制造方法,其为制造接合由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件而成的接合体的方法,所述接合体的制造方法具备:层叠工序,通过含3质量%以上10质量%以下的P且0.5质量%以上50质量%以下的Zn的Cu‑P系钎料和活性金属材料层叠所述陶瓷部件与所述Cu部件;及加热处理工序,对层叠的所述陶瓷部件及所述Cu部件进行加热处理,在所述层叠工序中,在所述陶瓷部件侧配置所述Cu‑P系钎料,在所述Cu部件侧配置所述活性金属材料,在所述加热处理工序中,所述Cu部件与所述活性金属材料通过固相扩散形成第一金属间化合物层而接合,通过所述Cu‑P系钎料中所含的P与所述活性金属材料中所含的活性元素的结合,形成含P的第二金属间化合物,P进入到该第二金属间化合物中而在陶瓷部件侧形成Cu层,且没有在所述陶瓷部件与所述Cu层的接合界面形成较硬的金属间化合物层。
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