[发明专利]用于工艺环上的稀土氧化物基薄膜涂层的离子辅助沉积有效
| 申请号： | 201480040772.6 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105378900B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔;Y·张 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 工艺 稀土 氧化物 薄膜 涂层 离子 辅助 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻反应器的腔室部件，包括：环形主体，所述环形主体包括氧化物基陶瓷、氮化物基陶瓷或碳化物基陶瓷中的至少一者，其中所述环形主体是包括顶部平坦区域、环内侧和环外侧的烧结陶瓷体，其中所述环内侧包括大致竖直壁；以及保护层，所述保护层在所述环形主体的至少所述顶部平坦区域、所述环内侧和所述环外侧上，其中，所述保护层是包含抗等离子体的稀土氧化物的共形层，具有小于1％的孔隙度，具有小于6微英寸的平均表面粗糙度，并且在所述顶部平坦区域上具有小于300微米的第一厚度且在所述环内侧的所述大致竖直壁上具有第二厚度，其中所述第二厚度是所述第一厚度的45‑70％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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